ACADEMIA DE ?TIIN?E A REPUBLICII MOLDOVA

CONSILIUL NA?IONAL PENTRU ACREDITARE ?I ATESTARE (INSTITUTUL DE INGINERIE ELECTRONIC? ?I TEHNOLOGII INDUSTRIALE al ACADEMIEI
DE ?TIIN?E A MOLDOVEI)
|APROB: |APROB: |
| | |
|Academician Valeriu CAN?ER |Dr. hab., prof. univ. Anatolie |
| |SIDORENKO |
|Pre?edinte al Consiliului Na?ional |Director al IIETI al A?M |
|pentru Acreditare ?i Atestare | |
|Data aprob?rii de c?tre Comisia de |Data aprob?rii de c?tre Consiliul |
|atestare a CNAA: |?tiin?ific al IIETI: 24 martie 2010 |
| | |
|(?tampila institu?iei) |(?tampila institu?iei) |
ProgramA
examenului de doctorat la specialitatea
05.27.01 - Electronica corpului solid, microelectronica, nanoelectronica
Chi?in?u - 2010
AUTORII:
1. Ion TIGHINEANU - m. cor., prof. univ., vicepre?edinte al A.?.M.
2. Valeriu CAN?ER, dr. hab .?t .f.-m., prof. univ., academician, pre?edinte
al CNAA.
3. Nicolae LEPORDA, dr. ?t. f.-m., cercet?tor ?tiin?ific coordonator, IIETI
al A.?.M.
RECENZEN?II:
1. Veaceslav Ursachi - dr. hab .?t .f.-m., prof. univ., I.F.A. al A.?.M.
2. Daria Grabco - dr. hab. ?t. f.-m., cercet?tor ?tiin?ific principal I.F.A
al A.?.M. |Programa a fost examinat? ?i |Programa a fost examinat? ?i |
|recomandat? de Comisia de exper?i în|recomandat? de Seminarul ?tiin?ific |
|domeniu a CNAA: |de profil pentru examinarea tezelor |
| |de doctor ?i doctor habilitat la |
| |specialitatea: 05.27.01 - |
| |Electronica corpului solid, |
| |microelectronica, nanoelectronica |
| |din cadrul IIETI al A?M |
|Pre?edinte: |Pre?edinte: |
|(gradul ?tiin?ific ?i titlul |dr. hab. ?t .f.-m., prof. univ., |
|?tiin?ific sau ?tiin?ifico-didactic,|Anatolie SIDORENKO |
|prenumele ?i numele pre?edintelui) | |
|(semn?tura) |(semn?tura) |
|" " |" " |
|201_ |201_ | I. FIZICA SEMICONDUCTORILOR Natura leg?turilor chimice în semiconductori.
Structura cristalelor. Cristale ideale ?i reale. Defecte în cristale.
Propriet??ile substan?elor monocristaline de baz? ale microelectronicii:
Si, Ge, CdTe, CaAs, InSb, InP.
Semiconductori policristalini ?i amorfi. Teoria benzilor energetice
ale corpului solid. Spectrul energetic al electronilor în metale,
semiconductori ?i dielectrici. Zona de conductibilitate ?i zona de valen??.
Masa efectiv? a electronilor. Semiconductori intrinseci ?i cu impurit??i.
Rolul impurit??ilor donoare ?i acceptoare. Bazele fizicii statistice.
Func?ia de distribu?ie Fermi-Dirac. Concentra?ia electronilor ?i a
golurilor în benzi. Dependen?ele lor de temperatur?. Distribu?ia Boltzman.
Criteriul de degenerare a gazului electronic. Semiconductori degenera?i ?i
nedegenera?i. Recombinarea "zon?-zon?" ?i recombinarea prin intermediul
impurit??ilor ?i al defectelor. Teoria recombin?rii Shocley-Read. Lungimea
de difuzie ?i timpul de via?? al purt?torilor de sarcin?. Recombinarea de
suprafa??. Conductibilitatea electric? a semiconductorilor.
Comportarea purt?torilor de sarcin? electric? în câmp electric slab.
Interac?iunea lor cu fononii, cu atomii impurit??ilor ?i cu defectele.
Mobilitatea electronilor ?i a golurilor. Condi?ia de neutralitate
electronic?. Difuzia ?i derivarea purt?torilor de sarcin? electric?.
Rela?ia Einstein. Purt?torii de sarcin? în câmp electric puternic.
Electronii fierbin?i. Multiplicarea în avalan?? a purt?torilor de sarcin?
în semiconductori. Domenii electrice ?i ?nururi de curent. Efectul Gunn.
Ecua?ia densit??ii curentului electric în semiconductori. Ecua?ia de
continuitate. Ecua?ia Poisson. Jonc?iunea p-n. Injectarea ?i extrac?ia
purt?torilor de sarcin? adi?ionali. Caracteristica de barier? ?i de
difuzie.
Str?pungerea termic? în avalan?? ?i de tunel a jonc?iunii p-n.
Heterojonc?iunile. Contactul metal-semiconductor. Jonc?iuni Schottky omise
?i de redresare.
St?ri de suprafa??. Structuri metal-dielectric-semiconductor (MDS).
Efectul de câmp în structurile MDS. Conductibilitatea termic? a
semiconductorilor. Capacitatea electric? a structurilor MDA. Fenomene
termoelectrice. Efectele termo- ?i galvano-magnetice. Efectul Hall.
Absorbirea radia?ilor în semiconductori. Tranzi?iile directe ?i indirecte
ale purt?torilor de sarcin?. Tipurile de luminescen??: prin injectare,
catodic? ?i fotoluminescen??. Electroluminescen?a semiconductorilor în
form? de praf ?i de pelicule. Materialele de baz? ale optoelectronicii:
compu?ii A3B5 ?i A2B6.
Efectele electro-magneto- ?i acusto-optice în corp solid. II. DISPOZITIVE ALE ELECTRONICII, MICROELECTRONICII ?I NANOELECTRONICII PE
BAZA DE CORP SOLID Diode semiconductoare. Parametrii ?i caracteristicile de baz? ale
diodelor, dependen?a lor de temperatur? ?i de regimul de lucru. Scheme
echivalente. Propriet??ile de impuls ?i de frecven?? ale diodelor. Diode de
redresare ?i de impuls. Diode cu acumulare de sarcin?. Diode varicap.
Diodele tunel ?i inverse. Diode cu cascade. Diode Schottky. Diode Gunn.
Diode de frecven?? supraînalt?.
Tranzistori bipolari. Structura ?i principiul de lucru. Distribu?ia
purt?torilor de sarcin? în tranzistoare. Efectul Erli. Parametrii ?i
caracteristicile de baz? ale tranzistoarelor, dependen?ele lor de
temperatur? ?i de regimul de lucru. Schemele echivalente ?i modelele
matematice ale tranzistorului: modelele Ebers-Moll, Linvill ?i modelul de
sarcin?. Caracteristicile de impuls ?i de frecven?? ale tranzistoarelor.
Str?pungerea tranzistorului.
Zgomotul în tranzistoare. Tranzistorul de putere. Tranzistoare de
frecven?? supraînalt?.
Tranzistoare de câmp. Principiile de func?ionare. Parametrii ?i
clasificarea lor. Caracteristicile lor de baz?. Tranzistoarele de câmp MDS
cu jonc?iunea p-n ?i barier? Schottky. Principiul de func?ionare.
Parametrii ?i caracteristicile de baz? ale tranzistoarelor de câmp.
Schemele echivalente ale tranzistoarelor de câmp. Caracteristicile de
impuls ?i de frecven?? ale tranzistoarelor de câmp. Zgomotul
tranzistoarelor de câmp în diapazonul frecven?elor joase ?i a celor
supraînalte. Structuri metal-oxid-semiconductori (MOS). Tranzistoarele ?i
condensatoarele în cadrul schemelor integrate (SI). Clasificarea SI dup?
criteriul de func?ionare ?i de construc?ie. Scheme integrate analogice ?i
digitale.
Scheme bipolare.
MDS-SI cu canal p-n.
Dispozitivele cu leg?tura de sarcin?. Parametrii de baz? ?i domeniile
de utilizare.
Aparate optoelectronice. Destina?ia ?i domeniile de utilizare.
Fotoreceptoarele: fotodiodele, fototranzistoarele, diodele în cascad?.
Parametrii ?i caracteristicile de baz?: fotosensibilitatea, capacitatea de
detec?ie, viteza de ac?iune. Baterii solare. Emi??tori semiconductori:
diodele de lumin? ?i laserii. Dispozitive integrate pentru sistemele de
vizualizare a informa?iei. Optronii ?i microcircuitele optoelectronice.
Aparatele semiconductoare termoelectrice ?i galvanometrice. Traductoarele
pe baz? de corp solid, inclusiv convertizoarele de informa?ie
microelectronice. Acustoelectronica, magnetoelectronica, (concep?ii
generale). Electronica jonc?ional?. III. PROCESELE TEHNOLOGICE LA PRODUC?IA APARATELOR SEMICONDUCTOARE ?I A
MICROSCHEMELOR INTEGRATE Determinarea direc?iilor cristalografice ale semiconductorilor.
T?ierea orientat?, ?lefuirea ?i polizarea (pl?cilor). Structuri pentru
prelucrarea mecanic? a semiconductorilor. Decuparea chimic? ?i polizarea
chimic? a germaniului, siliciului, arsenurii de galiu. Polizarea chimico-
mecanic?. Cur??irea final? a pl?cilor. Metodele de control a calit??ii
cur??irii.
Tehnologia planar?. Bazele fizice fundamentale. Condi?iile de
frontier? ?i formulele de calcul pentru cele mai însemnate cazuri
particulare de difuzie. Metode practice de studiu a proceselor de difuzie.
Schemele de structur? a cuptoarelor cu difuzie. Metodele de ob?inere a
fasciculelor de electroni ?i ioni. Doparea ionic?. Metodele plasmochimice
?i plasmoionice de prelucrare ale structurilor semiconductoare, dielectrice
?i metalice.
Defectele care se introduc în structuri în timpul prelucr?rii
electrono-ionice ?i înl?turarea acestora. Schemele de construc?ie ale
principalelor tipuri de instala?ii pentru prelucrarea electrono-ionic? ?i
iono-chimic? ale structurilor.
Cre?terea epitaxiala a structurilor. Metodele de control a
structurilor epitaxiale. Distribu?ia impurit??ilor în heterojonc?iunile
epitaxiale. Cre?terea structurilor de tip A3B5. Instala?ii pentru cre?terea
epitaxial? prin metodele transferului de baz?, din baza lichid? ?i
mo