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UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BAJA CALIFORNIA
DIRECCIÓN GENERAL DE ASUNTOS ACADEMICOS PROGRAMA DE ASIGNATURA | I. DATOS DE IDENTIFICACIÓN |
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|1. Unidad Académica Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería |
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|2. Programa (s) de estudio: (Técnico, Licenciatura) Ing. en Electrónica 3. Vigencia del plan: 1994-2 |
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|4. Nombre de la Asignatura Electrónica de Potencia I |
|5. Clave: 001626 |
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|6. No. Horas: Teóricas: 4 Prácticas 2 Modalidad de la Práctica: Laboratorio |
|7. No. de Créditos: 10 |
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|8. Ciclo Escolar: 2002-1 9. Etapa de formación a la que pertenece: |
|Disciplinaria |
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|10. Carácter de la Asignatura: Obligatoria ( |
|Optativa |
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|Requisitos para cursar la asignatura: Lab. de Elementos de Estado Sólido, Motores y Mecanismos, Control I |
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|Tipología Teórica-Práctica | Formuló: Juan Jesús López García
Vo . Bo. NO OFICIAL
Fecha: Octubre de 2001
Cargo :
| II. PROPÓSITO GENERAL DEL CURSO |
|Enfatizar la formación analítica integrando los conocimientos adquiridos en el área eléctrica electrónica a |
|los del área de control de sistemas como medio de solución de problemas técnicos de índole eléctrico. | | III. OBJETIVOS GENERALES DEL CURSO |
|Formativo: |
|Emplear los conocimientos básicos de dispositivos de estado sólido y agregar elementos específicos para manejo|
|de corrientes y/o voltajes elevados para el diseño de sistemas de control y suministro de potencia eléctrica. |
|Informativo: |
|Conocer el funcionamiento y características eléctricas de los elementos de estado sólido al manejo de potencia|
|alta y frecuencias bajas. |
|Conocer y diseñar circuitos de uso comercial que brindan potencia de sistemas electrónicos. | | IV. DESARROLLO POR UNIDADES |
|Nombre de la Unidad |Objetivos |
|I. TIRISTORES |. |
|Contenido Temático: |
|Duración: 20 hrs. |
|De gran señal |
|1.1.1 Rectificador controlado de silicio (SCR) |
|1.1.2 Triodo para AC (Triac). |
|*1.1.3 DIAC. |
|1.1.4 SCR con apagado por compuerta (GTO). |
|1.2 Dispositivos de disparo |
|1.2.1 Transistor de unijuntura (UJT) |
|1.2.2 Transistor de unijuntura programable (PUT) |
|1.2.3 Diodo Shockley ó de cuatro capas. |
|1.2.4 Interruptor unilateral de silicio (SUS). |
|1.2.5 Interruptor bilateral de silicio (SBS). |
|1.2.6 Interruptor controlado de silicio (SCS). |
|*1.2.7 SIDAC |
| IV. DESARROLLO POR UNIDADES |
|Nombre de la Unidad |Objetivos |
|II. TRANSISTORES DE POTENCIA |. |
|Contenido Temático: |
|Duración: 10 hrs. |
|2.1 MOSFET |
|2.1.1 VMOS. |
|2.1.2 DMOS. |
|2.2 Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT). |
| IV. DESARROLLO POR UNIDADES |
|Nombre de la Unidad |Objetivos |
|III. APLICACIONES |. |
|Contenido Temático: |
|Duración: 32 hrs. |
|3.1 Osciladores de relajación. |
|3.2 Modulación de ancho de pulso (PWM). |
|3.3 Regulación de luz y temperatura. |
|3.4 Control de movimiento |
|3.4.1 Por ángulo de fase. |
|3.4.2 Por PWM. |
|3.5 Convertidores de CD-CA. |
|3.6 Convertidores de CD-CD |
|3.6.1 Para reducción (Buck). |
|3.6.2 Para elevación (Boost). |
|3.6.3 De elevación-reducción |
|3.6.3.1 Buck-Boost. |
|3.6.3.2 Cúk. |
|3.6.3.3 Flyback. |
|3.6.3.4 Push-Pull. |
|3.7 Fuentes conmutadas. | | V. METODOLOGÍA DE TRABAJO |
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