1 Introduction
3.3.3 Caractérisation des effets du rayonnement sur les MOS 16 .... banc de test
permettant la caractérisation des transistors MOS à basse température, ..... La
bande de conduction ce trouve au dessus du niveau de Fermi, il y a alors très ....
La variation de la pente sous le seuil détermine le nombre d'états d'interface
créés ...